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离子注入装备浅析

半导体IC制程中主要有七大类
，划分为扩散 Diffusion、光刻 Photolithography、干法刻蚀/等离子刻蚀 Etch、离子注入Ion Implant 、薄膜Thin Films、化学机械研磨Polish (CMP)及湿法洗濯/湿法刻蚀 Wet Clean等。

其中以工艺来区分为四大类
，主要分为添加 Adding、去除Removing、加热Heating、图形化Patterning的制程
，本文所讨论的主题为添加工艺中的离子注入装备。

本文所讨论的主题为添加工艺中的离子注入装备。

离子注入手艺简介

现在
，离子注入是集成电路中最主要的掺杂手艺之一
，是器件功效的要害
，经由离子注入来决议晶体管的电学性能
，重点通过对半导体芯片施加离子加速
，注入掺杂元素
，改变其导电性能
，最终形成器件结构。

此手艺不需在高温情形下举行
，因此该工艺不会改变被加工工件的外貌光洁度或形状而是一种纯外貌处置惩罚手艺。作为集成电路前制程的一部分
，离子注入机是绝对不可少的一项装备
，为了改变半导体的载流子浓度和导电类型
，需要对半导体外貌周围的区域举行掺杂。

离子注入控制横向扩散的能力使其成为半导体制造中的常用工艺
，可以定制注入剂量、注入角度和注入深度
，但离子注入的工艺基本上并不重大
，离子在电场中被加速
，轰击进入固体质料内部
，此历程用于更改固体的物理
，化学或电学性子
，可是注入后的的效果却无法可以直接视察到
，一样平常需要透过电性测试才华确认。

通常离子注入机按离子能力分有低能、高能和兆伏等机型
，按束流有小束、中束、强流、超强流离子注入机的区分
，现实应用中束流和高能离子注入机不到40%
，约占60%以上为低能束离子注入机。

两种类型

N型掺杂

使用磷化氢PH3、砷化氢AsH3、锑化氢SbH3特种气体；

P型掺杂

三氟化硼BF3、三氟化硼-11B 11BF3、乙硼烷B2H6等特种气体。

大大都掺杂气体是剧毒
，易燃易爆或具有侵蚀性气体
，故此特种气体传输使用的气系一切使用的管道、管件的质料必需很是的严谨
，且关于气体必需使用到超高纯UHP气体不然气体中的金属杂质会极大影响电气性能
，若是气体中含有IIIA-VA元素
，更会导致电气性能转变。

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，且透详尽密焊接加工手艺的搭配
，可以做成气体管路模组
，亦可按工艺要求做成真空腔
，并且在离子注入机领域有实务供货履历
，可提供专业领域解决计划
，为半导体高端装备要害零部件国产化的历程作孝顺。